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突破極限 IBM推出全球首款2nm工藝芯片

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  [汽車之家 資訊]  近日,IBM在全球科技企業(yè)的制程大戰(zhàn)中,率先突破了3nm的極限,成功推出了全球首款采用2nm工藝的芯片。與目前的7納米制程相比,該技術(shù)預計可提升芯片45%的性能,并降低75%的能耗。

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  根據(jù)IBM的材料來看,這款2nm芯片每平方毫米可容納3.33億個晶體管,而作為對比目前最先進的臺積電5nm工藝每平方毫米最多才能容納1.713億個晶體管,而三星5nm工藝每平方毫米最多只能容納1.27億個晶體管。同時IBM也官宣了這款芯片的性能指標,其中與當前主流的7nm芯片相比,這款芯片的性能預計提升45%,能耗降低75%而與5nm芯片相比,2nm芯片的體積更小,速度更快。

2nm芯片的潛在優(yōu)勢包括:

  使手機電池壽命延長四倍,用戶只需每四天充電一次。

  削減數(shù)據(jù)中心碳足跡,這些數(shù)據(jù)中心占全球能源使用量的百分之一。如果將所有服務器改為基于2nm的處理器,可能會顯著降低這一比例。

  大大提高筆記本電腦的性能,包括更快的應用程序處理、更輕松的語言翻譯,以及更快的互聯(lián)網(wǎng)接入。

  加快自動駕駛汽車的物體檢測速度,縮短反應時間。

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  IBM在半導體領(lǐng)域的突破還包括首次實現(xiàn)7nm和5nm工藝技術(shù)、單管DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、Dennard標度律、化學放大光刻膠、銅互連布線、絕緣硅片技術(shù)、多核微處理器、高K柵介質(zhì)、嵌入式DRAM,以及3D芯片堆疊。IBM的首款商業(yè)化產(chǎn)品,包括IBM Research 7 nm技術(shù)進展,將于今年晚些時候在基于IBM power10的IBM Power Systems中亮相。

  增加每個芯片上的晶體管數(shù)量,可使其更小、更快、更可靠、效率更高。在宣布具有里程碑意義的5nm芯片設(shè)計后,不到4年的時間,IBM又獲得了該項最新突破,將使2nm芯片能夠在指甲大小的芯片上容納多達500億個晶體管。

  此外,芯片上的晶體管數(shù)量增加也意味著處理器設(shè)計師擁有更多的選擇權(quán),以助力核心層面的創(chuàng)新,提高AI和云計算等前沿工作負載的能力,以及找到硬件強制安全和加密的新途徑。IBM已在其最新一代IBM硬件(如IBM POWER10和IBM z15)中實現(xiàn)了其他創(chuàng)新核心級增強功能。(文/汽車之家 郭辰)

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